اثر اسپین مدار رشبا در تولید جریان اسپین قطبیده در ترانزیستورهای سه پایانه ای

چکیده مقاله

در این مقاله، یک نانو ترانزیستور اسپینی را که سه نانونوار نیمه بی¬نهایت لبه آرمچیری به دیسک مثلثی گرافنی لبه زیگزاگ متصل شده است را بررسی می کنیم. با استفاده از مدل تنگ بست، هامیلتونی رشبا و فرمولبندی لاندائور-بوتیکر چند پایانه¬ای به بررسی ترابرد اسپینی می¬پردازیم. اثر ولتاژ در الکترود سوم اعمال می¬شود و همچنین اثرات اسپینی بخاطر اثر اسپین مدار رشبا ایجاد می¬گردد که با در نظر گرفتن این اثر، اسپین قطبیده تولید می¬کنیم و به بیشترین مقدار ممکن ارتقا می¬دهیم. نتایج ما نشان می¬دهد با تغییر قدرت اثر رشبا و تغییر اندازه¬های کانال می¬توان میزان قطبیدگی ترانزیستورها را کنترل کنیم همچنین اعمال پتانسیل گیت در الکترود سوم می¬تواند مقادیر قطبیدگی را افزایش دهد.