| نویسندگان | فرزانه حاذقی,سیدمحمدباقر قریشی |
|---|---|
| همایش | بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و دهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران |
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۱۸-۰۱-۳۰ - ۲۰۱۸-۰۲-۰۱ |
| محل برگزاری همایش | 1 - شهرکرد |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه شهرکرد |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | ملی |
چکیده مقاله
- فتالوسیانین‌های فلزی بعنوان دسته‌ی مهمی از نیم‌رساناهای آلی یا مواد انتقال‌دهنده‌ی حفره بصورت گسترده‌ای در سلول‌های خورشیدی آلی استفاده می‌شوند. در این بررسی، فتالوسیانین روی (Znpc) با تحرک‌پذیری حفره نسبتا بالا و ترازهای HOMO و LUMO مناسب بعنوان لایه‌ی انتقال‌دهنده‌ی حفره در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی متیل آمونیوم یدید سرب استفاده شده است. نتایج آزمایش‌های انجام شده در این بررسی نشان می‌دهند که استفاده از فتالوسیانین روی بعنوان لایه‌ی انتقال‌دهنده‌ی حفره باعث افزایش بازدهی سلول‌های خورشیدی پروسکایتی در مقایسه با سلول‌های بدون لایه‌ی انتقال‌دهنده‌ی حفره است.
کلید واژه ها: بازدهی، پروسکایت، فتالوسیانین روی ، لایه انتقال دهنده حفره.