| نویسندگان | فاطمه عباسی,سیدمحمدباقر قریشی,المیرا کریم زاده |
|---|---|
| همایش | کنفرانس فیزیک ایران 1399 |
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۲۰-۰۸-۲۲ - ۲۰۲۰-۰۸-۲۵ |
| محل برگزاری همایش | 1 - کرمانشاه |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه رازی |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | ملی |
چکیده مقاله
در این تحقیق، تأثیر ضخامت لایه انتقال دهنده الکترون و گسیلنده نور(Alq3) ، لایه انتقال دهنده حفر (NPB)، لایه تزریق کننده حفره (MoO3) و لایه آند (ITO) بر روی بازدهی نور خروجی دیود نورگسیل آلی (OLED) با استفاده از روش تفاضل محدود حوزه زمان (FDTD) شبیه سازی شد تا ضخامت بهینه برای تبدیل OLED به یک OLED قرمز-تک رنگ تعیین شود. پس از بهینه سازی، قله انتشار در 530 نانومتر با نیم پهنای طیفی (FWHM)، 150 نانومتر ظاهر شد. پس از آن تاثیر حضور نانو ذرات نقره در اندازه¬ها و موقعیت¬های مختلف در این ساختار مورد بررسی قرار گرفت تا پیک نشر به طول¬موج¬های طولانی¬تر منتقل شده و FWHM آن کاهش یابد. نتایج شبیه سازی نشان داد با استفاده از نانوذرات نقره با اندازه شعاع 25 نانومتر در میانه ی لایه ITO، FWHM را به 29 نانومتر و قله انتشار به 590 نانومتر تغییر داده است.
کلید واژه ها: FDTD، OLED ، نور تکفام قرمز، نانوذرات نقره