شبیه سازی و بهینه سازی سلولهای خورشیدی پروسکایتی مسطح مبتنی بر C60,CuPc

چکیده مقاله

با وجود پیشرفتهای چشمگیر در عملکرد سلولهای خورشیدی پروسکایتی، مطالعات بیشتری برای بهینه سازی ساختاری، کنترل نقصها، صورت گرفته SCSPS-1D پیکربندی مناسب و افزایش پایداری آنها لازم است. دراین تحقیق یک مطالعهی شبیه سازی به کمک نرم افزار پیشبینی شود و با استفاده از پارامترهای بدست آمده از نتایج (n-i-p) است تا یک ساختار واقعی از سلول خورشیدی پروسکایتی مسطح تجربی مختص مواد تشکیل دهندهی سلول خورشیدی پروسکایتی و در نظر گرفتن تاثیر بازترکیبهای تابشی و اوژه در لایهی جاذب نور در دمای 300 کلوین شبیه سازی FTO / C60 / CH3NH3PbI3/ CuPc / Au خورشید که عامل مهمی در تخریب سلول است، ساختار را از 10 تا 450 نانومتر CuPc را از 5 تا 500 نانومتر، لایهی پروسکایت را از 25 تا 500 نانومتر و لایهی C شده است و ضخامت لایهی 60 تغییر داده و تاثیر ضخامت لایههای مختلف، بر عملکرد سلول خورشیدی مورد بررسی قرار گرفته تا ضخامت بهینهی آنها مشخص شود و 1 الکترون ولت / 8 الکترون ولت و تابع کار طلا برابر با 5 / برابر با 4 FTO رهنمودهایی برای افزایش بازدهی تبدیل توان ارائه شود. تابع کار در نظر گرفته شده است و پس از انجام شبیه سازی همانطور که در شکل 1نشان داده شده، ضخامتهای بهینه برای لایهی انتقال دهندهی 100 و 300 نانومتر انتخاب شد و شکل 2 نمودار چگالی ، به ترتیب 10 (PVS) و پروسکایت (HTL) انتقال دهندهی حفره ،(ETL) الکترون %60/ 23 میلی آمپر بر سانتی متر مربع، 39 / 1 ولت، 641 / جریان-ولتاژ برای این ضخامتهای بهینه رانشان میدهد. در نهایت مقادیر 029 %70/14 به ترتیب برای ولتاژ، چگالی جریان، ضریب پرشدگی و بازدهی بدست آمد که مطابقت قابل قبولی با نتایج تجربی دارد.