بررسی مشخصات اپتوالکترونیکی دیود نور گسیل آلی مبتنی بر ساختار ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al

چکیده مقاله

در این تحقیق، ویژگی های اپتوالکترونیکی دیود نور گسیل آلی با ساختار ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al شبیه سازی شده است. دیودهای نور گسیل آلی با لایه میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) با نرم افزار APSYS (Advanced Physical Model of Simulation Devices) مورد بررسی قرار گرفتند. طول موج نشر در 520 نانومتر برای نمونه مرجع (بدون مهمان) ظاهر شد. پس از آن تاثیر حضور لایه میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) با درصد وزنی¬های 0، 1، 5 و 10 در این ساختار مورد بررسی قرار گرفت. نتایج شبیه سازی نشان دادند که استفاده از لایه میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) طول موج نشر را به 630 نانومتر انتقال می دهد. همچنین نمونه ای با 5 درصد وزنی ماده مهمان DCJTB دارای بازدهی جریان بهتر نسبت به نمونه مرجع شد. منشأ فیزیکی عملکرد نوری بهبود یافته برای دیودهای نور گسیل آلی با حضور ساختار میزبان-مهمان (Alq3:DCJTB) می تواند به دلیل افزایش الکترون¬ها و حفره¬ها در رابط بین لایه های Alq3: DCJTB و Alq3 باشد،که این امر منجر به افزایش نرخ بازترکیبی تابشی و بهبود بازدهی جریان می شود.