| نویسندگان | مدینه نژادزنگنه,سیدمحمدباقر قریشی,محسن قاسمی |
|---|---|
| همایش | بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و چهاردهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران |
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۲۲-۰۲-۰۱ - ۲۰۲۲-۰۲-۰۳ |
| محل برگزاری همایش | 1 - اهواز |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه اهواز |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | ملی |
چکیده مقاله
سلول خورشلیدی نیمه شفاف پروسکایتی با الکترود رسانای شفاف - MoO3/Au/V2O5 با سلاختا ر Glass/ITO/TiO2/CH3NH3PbI3/Spiro- OMeTAD/MoO3/Au/V2O5 در نظر گرفته شد و با محاسبه ویژگیهای اپتیکی و همچنین روش اسمیت، اثر تغییر ضخامت لایه V2O5 روی جذب در لایه فعال و چگالی جریان مدار کوتاه بررسی شد. در نهایت بیشینه چگالی جریان مدار کوتاه برای ضخامت 53 نانومتر از لایه ضخامت V2O5 به دست آمد
کلید واژه ها: الکترود رسانای شفاف، چگالی جریان مدار کوتاه، دی الکتریک/فلز/دی الکتریک، سلول خورشیدی نیمهشفاف پروسکایتی.