| نویسندگان | ابراهیم یزدی,سیدمحمدباقر قریشی |
| همایش | سی و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران |
| تاریخ برگزاری همایش | 2026-01-28 - 2026-01-29 |
| محل برگزاری همایش | 1 - رفسنجان |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه ولیعصر رفسنجان |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | ملی |
| کلید واژه ها | لایه شفاف رسانا, سلول خورشیدی پروسکایتی, شبیهسازی اپتیکی, لایه نازک. |
|---|
چکیده مقاله
در این پژوهش با استفاده از روش ماتریس انتقال ساختارهای مختلف دیالکتریک/فلز/دیالکتریک (DMD) برای مواد MoO3MoO3، WO3WO3، AuAu و AgAg با هدف عبور بیشینه در محدودهی مرئی و استفاده در سلولهای خورشیدی نیمه شفاف شبیهسازی شده است. در فرایند شبیهسازی ضخامت فلز میانی ثابت در نظر گرفته شده و با تغییر ضخامت دیالکتریک بهترین ضخامت بدست آمده است. در بین ساختارهای DMD مختلف که میتوان با ترکیب این مواد ساخت، ساختار WO3/Au/WO3WO3/Au/WO3 بیشترین عبور و رفتار یکنواختتر از خود نشان داد که گزینه خوبی برای کاربرد مذکور میباشد.
لینک ثابت مقاله