نویسندگان | علیرضا آقائی,حسین خراسانی زاده,قنبر علی شیخ زاده |
---|---|
نشریه | فصلنامه مکانیک هوافضا، دانشگاه امام حسین |
شماره صفحات | ۵۳ |
شماره مجلد | ۱۵ |
نوع مقاله | Full Paper |
تاریخ انتشار | ۱۳۹۸/۰۴/۲۰ |
رتبه نشریه | علمی - پژوهشی |
نوع نشریه | الکترونیکی |
کشور محل چاپ | ایران |
نمایه نشریه | ISC ,SID |
چکیده مقاله
جریان سیال تحت تاثیر میدان مغناطیسی در خنک کاری سامانه های الکترونیکی و ترانسفورماتورهای برق و پدیده های فیزیکی مثل زمین شناسی مطرح م یباشد . در مطالعه حاضر اثر میدان مغناطیسی بر میدان جریان و انتقال حرارت جابه جایی طبیعی نانوسیال آب اکسیدمس با لحاظ اثر - حرکت براونی نانوذرات در محفظه ذوزنقه ای برای هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم مطالعه شده است. مطالعه برای اعداد رایلی 519 تا 5151 ، اعداد 1 از نانوذرات انجام شده است. معادلات حاکم با روش حجم محدود و الگوریتم سیمپلر به صورت / هارتمن 1 تا 511 و کسر حجم یهای 1تا 10 عددی با استفاده از یک برنامه کامپیوتری به زبان فرترن حل شده اند. نتایج نشان دادند که با اعمال میدان مغناطیسی و افزایش آن، سرعت جابه جایی نانوسیال و قدرت جریان در هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم کاهش می یابد. از مقایسه خطوط جریان و هم دما در رژیم آرام با متلاطم مشخص می شود که با توجه به ثابت ماندن قدرت میدان مغناطیسی )عدد هارتمن ثابت( در هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم، خطوط جریان و هم دما در رژیم متلاطم کمتر تحت تاثیر نیروی لورنتس قرار می گیرند. برای هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم با زیاد شدن کسر حجمی نانوذرات و افزایش عدد رایلی عدد ناسلت متوسط زیاد می شود. همچنین در همه اعداد رایلی و کسرهای حجمی با افزایش عدد هارتمن، عدد ناسلت متوسط کاهش می یابد.
tags: نانوسیال، میدان مغناطیسی، عدد هارتمن، خواص متغیر، جابه جایی طبیعی، جریان متلاطم، مدل k-e